Número de Parte: IRF9530
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ – Máxima disipación de potencia: 88 W
|Vds|ⓘ – Voltaje máximo drenador – fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ – Voltaje máximo fuente – puerta: 20 V
|Id|ⓘ – Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ – Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ – Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
Qgⓘ – Carga de la puerta: 38(max) nC
trⓘ – Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ – Capacitancia de salida: 340 pF
Rds(on)ⓘ – Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
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Category: FET/IGBT/Transistor/DIODE
Description
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Advanced Process Technology
Ultra Low On-Resistance
Dynamic dv/dt Rating
175°C Operating Temperature
Fast Switching
Fully Avalanche Rated
Specifications
Some Ratings and characteristics(@TC= 25°C):
Type: N-Channel
Package: TO-220
VDSS= 55V
ID= 49A
RDS(on)(Typ.)= 17.5mΩ
VGSS= ±20V
Ptot= 94W
Trr(Typ.)= 63ns
Tj= -55 to 175°C
Tstg= -55 to 175°C°C

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